晶体精抛光分类及产品介绍
发布时间：
2023/06/26 22:33
聚合物抛光垫的主要成分是发泡体固化聚氨酯，是最常用的抛光垫材料之一，主要用于粗抛工艺中；无纺布抛光垫容纳抛光液能力强，但是材料去除率较低，常用于细抛工艺中；带绒毛结构的无纺布抛光垫硬度小、压缩比大、弹性好，常用于精抛工序中；复合型抛光垫采用的两层结构，兼顾平坦度和非均匀性，同时在基体中加入了能溶于抛光液的高分子或无机填充物，能有效延长抛光垫的使用寿命并降低缺陷率，减少抛光液的使用量。
碳化硅衬底的制备工艺流程，包括碳化硅原料、投料生长，获得碳化硅晶体，形成标准直径的晶体，进行晶体定向；晶体表面磨平、切割、研磨、抛光和清洗、检测；对产品规格进行分类。
碳化硅产业的关键是衬底，晶体制备又是碳化硅衬底的核心，碳化硅晶体通过切割、研磨、抛光、清洗等工序后就可以作为衬底。
美国、英国等国家已制备成纳米抛光液，并有商品出售。常规的抛光液是将不同粒径的颗粒放入基液制成抛光剂，广泛用于金相抛光、照像镜头抛光、晶体抛光以及岩石抛光等。最细的颗粒尺寸一般在微米到亚微米级。随着高技术的飞快发展，要求晶体的表面有更高的光洁度。这就要求抛光剂中的颗粒越来越细，分布越来越窄，纳米微粒为实现这个目标提供了基础。目前已制成的用纳米金刚石配置的超精抛光液、抛光膏，可用于红、蓝宝石、首饰、光学镜头和激光镜头的精抛光，表面粗糙度可达Rmax＜＜1nm。
晶体磷化铟抛光车间生产经理：
料有望打开长期增量。在碳化硅领域，公司的产品主要有碳化硅长晶、抛光、外延设备以及6英寸导电型碳化硅衬底片。公司从2017年开始布局碳化硅业务，凭借在硅晶体设备领域先进的技术支撑，2020年实现SiC外延设备的销售，建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证。2022年8月，公司宣布成功生长出8英寸导电型碳化硅晶体，解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均，晶体开裂、气相原料分布等难点问题，还破解了碳化硅器件成本中衬底材料占比过高的难题，进一步缩小国内外技术差距，保障我国SiC产业在关键核心技术上的自主可控。
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